Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQB33N10 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQB33N10

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 127

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 25

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 33

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQB33N10 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.052

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263_D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SDD04N60 , SDD03N70 , FQB34N20 , FQB34P10 , FQB34P10TM_F085 , FQB55N10 , FQD13N10L , MTD3055VL , FQD3P50 , FQD5N20L , FQI13N50C , IRFW630B , FQI50N06 , IRF634B , FDP3632 , FDD3682 , FQP30N06L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved