Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQA70N10 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQA70N10

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 214

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 25

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 70

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQA70N10 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.025

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3PN

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SDF04N65 , FQA7N80C_F109 , SDF04N60 , FQA90N15 , FQA90N15_F109 , FQB11P06 , FQB50N06L , FCH104N60F_F085 , FQD12P10TM_F085 , MTD3055V , FQB9P25 , FQP11P06 , FQD4P25 , FDS4675 , FQD8P10 , FQH44N10 , FQP11N40C ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved