Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDT458P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDT458P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 3

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDT458P (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.13

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT223

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDT86102LZ , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86246 , FDU3N40 , FDY3000NZ , FQA27N25 , FQA36P15 , FQA9N90C_F109 , FQB11P06 , FQB44N10 , SDD02N60 , FQB50N06L , FQB5N90 , FDPF041N06BL1 , FQD12N20L , FQD2N60C ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved