Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDS8817NZ - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDS8817NZ

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 15

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDS8817NZ (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.007

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOIC

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SP4412 , FDS8842NZ , FDS8858CZ , SP3903 , FDS8876 , FDS8884 , FDS9431A_F085 , FDS9953A , FDV305N , FDY3000NZ , FQA160N08 , FQA24N60 , FQA27N25 , FQA32N20C , FQA7N80C_F109 , FQA90N08 , FQB33N10L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved