Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDS5670 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDS5670

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDS5670 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.014

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOIC

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDS5672 , STB416D , FDS6298 , STA6968 , FDS6673BZ , FDS6681Z , FDS8447 , SP8009EL , FDS8878 , FDS8884 , FDS8984 , FDS9400A , FDS9431A_F085 , SDU05N04 , FDT86106LZ , FDT86244 , SDF08N50 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved