Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDS3692 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDS3692

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDS3692 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.06

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOIC

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STF06N20 , FDS3992 , STE339S , FDS4435BZ_F085 , FDS4465 , FDS4559 , STA6611 , FDS6692A , SP8076E , FDS8449 , SP3902 , SP3900 , SP2702 , SP2458 , SP2103 , SP07N65 , SDU03N04 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved