Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDP8860 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDP8860

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 254

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 80

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDP8860 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0025

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STM102D , STM101N , FDP8870_F085 , FDP8876 , STK600 , FDPF10N60NZ , STF8236 , FDPF51N25 , FDPF8N60ZUT , FDS2572 , FDS4465_F085 , FDS4501H , STB440S , STB438A , STB416D , FDS6670AS , SP8601 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved