Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDP10N60NZ - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDP10N60NZ

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 185

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 25

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDP10N60NZ (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.75

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STM4532 , STM4470E , FDP12N50 , FDP150N10 , STM4470 , FDP18N50 , FDP5N50NZ , FDP75N08A , STK400 , FDPF10N60NZ , FDPF20N50FT , FDPF33N25T , STF8236 , FDPF3N50NZ , FDPF6N60ZUT , STF443 , FDS3890 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved