Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDN372S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDN372S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 16

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDN372S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.04

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SSOT

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STM4880 , FDN5630 , FDN8601 , FDP030N06 , FDP032N08 , FDP047N10 , STM4439A , FDP22N50N , FDP52N20 , FDP5N60NZ , FDP8880 , FDP8N50NZ , FDPF10N50UT , STG8209 , STG2454 , FDPF18N50T , STF620S ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved