Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STM6375 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STM6375

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STM6375 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 550

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.02

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDMS86104 , FDMS86105 , STM4953 , STM4952 , FDMS86252 , FDMS9620S , FDP047N08 , FDP060AN08A0 , STM4460 , FDP18N50 , FDP51N25 , FDP55N06 , FDP5N50NZ , STM121N , STM101N , STK801 , FDPF17N60NT ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved