Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP60L60F - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP60L60F

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 32

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP60L60F (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 142

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.019

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDMC86102LZ , FDMC86106LZ , STP60L60 , FDMC86244 , FDMC86324 , FDMC8884 , FDMS3606AS , STM8362 , STM8324 , STM8309 , STM6920 , STM6915 , STM6914 , STM6912 , FDMS86105 , FDMS8622 , FDN5618P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved