Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDG6332C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDG6332C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: NP

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.3

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 12

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.7

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDG6332C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.3

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SC70

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STS3623 , STS3621 , FDG6335N , STS3426 , FDG8850NZ , FDH5500_F085 , STS3401A , FDMA510PZ , FDMC2610 , STS2309A , STS2302A , STS2301 , STS2300S , FDMC8026S , FDMC86106LZ , FDMC86240 , FDMS2504SDC ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved