Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDD8878 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDD8878

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 40

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 40

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDD8878 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.015

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STS6601 , STS6415 , FDD8882 , FDD8896_F085 , STS4622 , FDG410NZ , FDH45N50F_F133 , STS3409L , FDMA2002NZ , FDMA410NZ , FDMC2523P , FDMC3020DC , FDMC3612 , FDMC5614P , FDMC7664 , FDMC7672S , STP60L60A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved