Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDD8444_F085 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDD8444_F085

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 153

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 145

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDD8444_F085 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0052

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDD8444L_F085 , FDD8445_F085 , FDD8447L , FDD8453LZ_F085 , FDD850N10L , FDD8647L , FDG332PZ , FDG6317NZ , FDH047AN08A0 , FDH5500_F085 , STS3404 , FDMA3023PZ , STS3401A , STS3401 , FDMB3800N , FDMC15N06 , STS2306A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved