Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDD5N50NZF - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDD5N50NZF

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 62.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 25

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.7

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDD5N50NZF (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.75

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDD5N50U , FDD6530A , FDD6630A , FDD6637_F085 , FDD6680AS , FDD6N20TM , FDD86326 , FDD8796 , FDG1024NZ , FDG410NZ , FDH038AN08A1 , STS3411A , FDH45N50F_F133 , FDI040N06 , FDMA1024NZ , FDMA1028NZ , STS2621 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved