Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDD3672 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDD3672

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 135

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 44

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDD3672 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.028

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STU03N20 , STU03L07 , STU03L01 , FDD3690 , STT6603 , FDD4141 , FDD6796A , FDD6N50TM_F085 , FDD86102 , FDD8647L , FDD8N50NZ , FDG328P , FDG332PZ , FDG6308P , STS3621 , STS3429 , FDMA1023PZ ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved