Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDC5614P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDC5614P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.6

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDC5614P (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.105

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SSOT

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDC5661N_F085 , FDC604P , FDC606P , FDC6312P , FDC6318P , STU16L01 , FDD18N20LZ , FDD2582 , FDD3860 , FDD4141 , STT03N10 , FDD6778A , FDD6796A , FDD6N50 , FDD8445_F085 , FDD8453LZ , FDD8880 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved