Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDB28N30TM - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDB28N30TM

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 250

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 300

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 28

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDB28N30TM (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.129

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263_D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDB33N25 , FDB3632 , STU40N01 , STU411D , FDB3682 , FDB5800 , STU30L01A , FDC2612 , STU303S , STU16L01 , FDD120AN15A0 , FDD16AN08A0 , FDD18N20LZ , FDD2572 , STU03L07 , STT812A , FDD5N53 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved