Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STU407D - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STU407D

Technologia: MOSFET

Rodzaj: NP

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 11

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 16

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STU407D (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 120

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.03

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252-4L

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDB039N06 , FDB045AN08A0_F085 , FDB047N10 , FDB070AN06A0 , FDB075N15A , FDB12N50U , STU417L , FDB8441 , FDB8870 , FDB8896 , FDC6320C , FDC6327C , FDC6333C , FDC638APZ , STU10N20 , FDD10AN06A0 , FDD3672_F085 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved