Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STU419A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STU419A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 42

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 60

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STU419A (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 480

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.011

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FCPF9N60NT , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA20N50F , FDA24N40F , FDA50N50 , FDB12N50TM , STU408D , FDB3860 , FDB5800 , STU310DH , STU30N01 , STU30L01A , STU309DH , FDC604P , FDC6310P , FDC8602 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved