Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FCP11N60F - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FCP11N60F

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 11

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FCP11N60F (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.38

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STU612D , STU610S , FCP13N60N , FCP22N60N , STU606S , STU432S , FDA38N30 , STU404D , FDB088N08 , FDB12N50U , STU412S , FDB44N25 , STU417L , FDB8160_F085 , FDB8832 , FDB8860 , FDC602P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved