Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2N7002T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2N7002T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.115

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N7002T (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 7.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT523F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2N7002V , 2N7002W , BSS138K , FCA20N60F , IRF221 , BUZ81 , STU664S , STU630S , STU602S , STU432S , STU402D , FDA28N50F , FDA38N30 , FDA69N25 , FDB045AN08A0_F085 , FDB060AN08A0 , FDB3502 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved