Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STW12N60 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STW12N60

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 180

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STW12N60 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 2500

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STW12NA50 , STW15N50 , STW15NA50 , STW60N10 , STW75N06 , TA75309 , ZVN3320F , ZVN4210A , ZVP1320F , ZVP2120G , FCA22N60N , FCA36N60NF , FCA47N60 , FQPF10N60C , FCD5N60 , FCD9N60NTM , FCP11N60N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved