Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP8N50XI - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP8N50XI

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP8N50XI (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.85

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOWATT221

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP8NA50 , STP9N30 , STP9NA50 , STV18N20 , STV33N10 , STV50N05 , TA75307 , TN0104N3 , ZVN3306A , ZVN4106F , ZVP1320A , ZVP2110A , ZVP2120A , ZVP3310A , 2N7002W , IRF220 , IRFD9020 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved