Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP4N90 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP4N90

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 100

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP4N90 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 3.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP4N90FI , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP50N06 , STP50N06FI , STP55N06LFI , STP6N50 , STP6NA60FI , STV3NA80 , STV50N05 , STW80N05 , TA17650 , TA75307 , TA75333 , ZVN1409A , ZVN2110G , ZVNL110G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved