Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP33N10 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP33N10

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 33

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP33N10 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.06

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP33N10FI , STP36N05LFI , STP36N06 , STP38N06 , STP3N100 , STP3N90FI , STP55N06L , STP5N30L , STP60N06 , STP6N50FI , STV36N06 , STV4N100 , STV4NA80 , STV55N06L , STW15N50 , STW55N10 , ZVN0545G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved