Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP18N10FI - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP18N10FI

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 40

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 11

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP18N10FI (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.14

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOWATT220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP19N06 , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N10FI , STP20N10L , STP25N06 , STP3N90 , STP40N05FI , STP50N06LFI , STP55N06LFI , STP60N05FI , STP6N25 , STP6N50 , STP6NA50FI , STP9N30 , STV12N20 , STW14N50 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved