Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STK16N10L - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STK16N10L

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 65

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 16

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STK16N10L (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.12

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT82

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STK17N10 , STK18N05L , STK18N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK4N30 , STP25N05FI , STP2N80FI , STP3N100XI , STP3N90FI , STP50N06L , STP55N05L , STP55N06L , STP5N30 , STP5NA50FI , STP5NA80FI , STP8NA50FI ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved