Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STH65N06FI - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STH65N06FI

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 65

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 38

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STH65N06FI (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 2900

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.02

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOWATT218

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STH6N100 , STH6NA80 , STH6NA80FI , STH7N90FI , STH7NA60 , STH8NA60 , STK4N25 , STP10NA40 , STP21N05L , STP25N06 , STP3N100FI , STP3N60XI , STP3N90 , STP3NA80FI , STP4NA60FI , STP50N05LFI , STP5NA50 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved