Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STD8N06-1 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STD8N06-1

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STD8N06-1 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 340

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.25

WYTWÓRCA:

CIAŁO: IPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STD8N06T4 , STD8N10-1 , STD8N10L , STE100N20 , STE150N10 , STE250N06 , STH45N10 , STH55N10 , STH7NA80 , STH8NA60 , STK2N50 , STK3N50 , STK4N25 , STK6N20 , STP19N06L , STP20N10 , STP36N05L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved