Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STD17N06 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STD17N06

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 55

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 17

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STD17N06 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.085

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STD17N06-1 , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD3N30L , STE250N05 , STE36N50-DK , STH15NA50FI , STH45N10FI , STH7NA60FI , STH80N05FI , STH8N80FI , STH9N80FI , STK18N05L , STK22N06 , STP19N06FI ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved