Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSW4N90AS - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSW4N90AS

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 130

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSW4N90AS (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 910

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 3.7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSW5N80A , SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10T4 , STD12N05 , STD12N06L , STD3N30-1 , STD3NA50T4 , STE16N100 , STE250N06 , STH15NA50 , STH33N20 , STH45N10 , STH4N90 , STH6NA80 , STH7N90 , STK18N05 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved