Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSS4N80AS - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSS4N80AS

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 40

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSS4N80AS (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 880

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 3

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSS4N90A , SSS5N80A , SSS5N90A , SSS6N80A , SSS6N90A , SSU2N60A , STD12N06-1 , STD15N06L-1 , STD2N50T4 , STD3N30L , STE15N100 , STE22N80 , STE250N05 , STE36N50 , STH12N60FI , STH14N50FI , STH6N100FI ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved