Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSP4N90A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSP4N90A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 120

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSP4N90A (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 730

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSP4N90AS , SSP5N90A , SSP6N55 , SSP6N90A , SSP70N10A , SSR3055A , SSU1N60A , SSW2N60A , STD12N05L , STD12N06L , STD2N50-1 , STD3N25-1 , STD3N30-1 , STD3N30T4 , STD8N10-1 , STD8N10T4 , STH12N60 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved