Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSI2N80A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSI2N80A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 80

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSI2N80A (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 425

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: I2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSI2N90A , SSI3N90A , SSI4N60A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSP2N80A , SSR2N60A , SSS2N60A , SSS7N60A , SSU2N60A , STD12N05-1 , STD12N05T4 , STD12N06-1 , STD12N06T4 , STD17N06L-1 , STD1NA60T4 , STD8N10 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved