Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SK1760 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SK1760

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 100

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SK1760 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 3.1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MP88

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SK1784 , 2SK1793 , 2SK1794 , 2SK1850 , 2SK1851 , 2SK1958 , 2SK2137 , 2SK2158 , 2SK2470-01MR , 2SK2479 , 2SK2524-01MR , 2SK2553 , 2SK2586 , 2SK2703 , 2SK2738 , 2SK2788 , 2SK2937 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved