Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSH45N20A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSH45N20A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 278

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 45

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSH45N20A (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 3030

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.065

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSH4N70 , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH70N10A , SSP2N60A , SSP3N90A , SSP7N80A , SSR3055A , SSS70N10A , SSU1N50 , SSU1N60A , SSW1N50A , SSW6N70A , STD10N10LT4 , STD17N06L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved