Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SML60J35 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SML60J35

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 450

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 35

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SML60J35 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 7410

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.15

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT227

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SML60J62 , SML60M90BFN , SML60S16 , SML7516DFN , SML8016DFN , SML802R4BN , SSF10N90A , SSF4N90AS , SSH15N55 , SSH20N45A , SSH60N10A , SSH6N70A , SSH6N90A , SSH7N90A , SSI3N90A , SSI4N90A , SSP5N80A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved