Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SML5050BN - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SML5050BN

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 240

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 14

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SML5050BN (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 1800

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SML5050CN , SML5085BN , SML5085CN , SML50A21 , SML50B20 , SML50J44 , SML6060AN , SML60A16 , SML801R2BN , SML802R4BN , SML80J44 , SSF10N60A , SSF10N90A , SSF45N20A , SSF8N90A , SSH10N70 , SSH4N70A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved