Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SI6820DQ - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SI6820DQ

Technologia: FET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.9

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SI6820DQ (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.16

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSSOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SI6821DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R3BN , SML1001R3HN , SML1002RAN , SML10J225 , SML120B10 , SML30J70 , SML4025HN , SML40L57 , SML5011AFN , SML501R1BN , SML5022BN , SML5085BN , SML50A19 , SML601R3KN ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved