Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SDF9N100JEC-S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SDF9N100JEC-S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1000

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SDF9N100JEC-S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 4500

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO254

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SDF9N100JEC-U , SDF9N100JED-S , SDF9N100JED-U , SDFC30JAB , SDFC40 , SFH9154 , SFP9620 , SFP9Z14 , SFS9614 , SFS9644 , SFW9624 , SFW9644 , SFW9Z24 , SI3851DV , SML1001H9 , SML1001R3AN , SML100C4 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved