Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RFP4N06L - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RFP4N06L

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RFP4N06L (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.8

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RFP4N100 , RFP50N06 , RFP50N06LE , RFP7N10LE , RFP8N20L , RFW2N06RLE , SDF11N100GAF , SDF120JAB-S , SDF150JAA , SDF1NA60JAB , SDF350 , SDF360JED , SDF40N50JAM , SDF430JDA , SDF4NA100SXH , SDF5N100JAB , SDF9N100JED-D ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved