Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RFP12N10L - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RFP12N10L

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 60

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RFP12N10L (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RFP12P08 , RFP14N05 , RFP14N05L , RFP15N06L , RFP15N08L , RFP2N08L , RFT3055LE , SDF034JAA-U , SDF10N100JEC , SDF11N90GAF , SDF140 , SDF15N60GAF , SDF1NA60JAA , SDF20N60JEA , SDF2N100JAA , SDF320JDA , SDF4NA100 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved