Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RFD3N08L - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RFD3N08L

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RFD3N08L (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.8

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO251AA

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RFD3N08LSM , RFD4N06LSM , RFD7N10LE , RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFG40N10LE , RFP25N06 , RFP3055LE , RFP8P06E , RFW2N06RLE , SDF10N100JEB , SDF10N60 , SDF11N100GAF , SDF120JAA-U , SDF130JAB-D , SDF130JDA-S , SDF26N50 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved