Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RF1S9540SM - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RF1S9540SM

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 19

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RF1S9540SM (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RF1S9630SM , RFB18N10CS , RFD10P03L , RFD14N05 , RFD14N05L , RFD15P06 , RFG40N10 , RFG50N06LE , RFP15P05SM , RFP2N08L , RFP8P05 , RFT1P06E , RFT3055LE , SDF034JAA-D , SDF054JAA-U , SDF100NA40HI , SDF130JAA-U ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved