Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PHX6ND50E - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PHX6ND50E

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.1

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PHX6ND50E (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT186A

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PHX7N60E , PHX8ND50E , PMBF4391 , PMBF4416A , PMBF5484 , PMBFJ113 , RF1S40N10LESM , RF1S50N06SM , RFD14N05SM , RFD15P06 , RFD8P06LE , RFG30P05 , RFG40N10 , RFG50N05L , RFP14N05 , RFP15N05L , RFP50N05L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved