Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PHD3N40E - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PHD3N40E

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 50

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 400

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PHD3N40E (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 3.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT428

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PHD45N03LT , PHD55N03LT , PHD69N03LT , PHP11N50E , PHP125N06LT , PHP3055L , PHW14N50E , PHX2N50E , PMBF5486 , PMBFJ113 , RF1K49224 , RF1S30P05SM , RF1S40N10LESM , RF1S4N100SM , RFB18N10CS , RFD12N06RLESM , RFD4N06L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved