Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

PHB24N03LT - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: PHB24N03LT

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 60

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 24

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora PHB24N03LT (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.056

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT404

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: PHB2N50E , PHB37N06LT , PHB3N40E , PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB6N50E , PHP3055E , PHP3N60E , PHT11N06LT , PHW20N50E , PMBF5485 , PMBFJ110 , PMBFJ112 , PMBFJ212 , RF1K49093 , RF1K49211 , RF1S9640SM ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved