Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NDS9953A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NDS9953A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.9

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NDS9953A (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.13

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NDS9955 , NDS9957 , NDS9959 , NDT3055 , NDT3055L , NDT455N , PHB69N03LT , PHB87N03LT , PHP130N03LT , PHP3055L , PHP8ND50E , PHT8N06LT , PHW14N50E , PHW8ND50E , PHX8ND50E , PMBF4416 , RF1K49092 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved