Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NDP7061 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NDP7061

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 130

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 64

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NDP7061 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.016

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NDP7061L , NDP710A , NDS0605 , NDS352AP , NDS355AN , NDS8926 , NDT454P , OM1N100ST , PHB50N03LT , PHB6N50E , PHP12N10E , PHP2N50E , PHP3055E , PHP3N40E , PHP6N50E , PHP80N06LT , PHX8N50E ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved